2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[23a-A602-1~9]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2023年9月23日(土) 9:00 〜 11:15
A602 (熊本城ホール)
有元 圭介(山梨大)
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9:00 〜 9:15

[23a-A602-1]ポストアニールと薄化によるSn添加多結晶Ge薄膜（≤20nm）のキャリア移動度の向上

〇古賀 泰志郎1、永野 貴也1、茂藤 健太2、山本 圭介2、佐道 泰造1 (1.九大システム情報、2.九大総理工)
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9:15 〜 9:30

[23a-A602-2]絶縁基板上のSi薄膜の固相成長に与えるSn添加効果

〇花房 佑樹1、岡本 絋汰1、佐道 泰造1 (1.九大システム情報)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[23a-A602-3]多結晶Ge薄膜に与える水素パッシベーション効果

〇野沢 公暉1、石山 隆光1、溝口 拓士1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学)
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9:45 〜 10:00英語発表

[23a-A602-4]Crystallization of n-type Si0.1Ge0.9 thin films by high-speed CW laser annealing

〇Rahmat Hadi Saputro1,2, Ryo Matsumura1, Tatsuro Maeda3, Naoki Fukata1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba, 3.AIST)
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10:00 〜 10:15

[23a-A602-5]2段階熱処理による非晶質Ge/SiO2のMg誘起横方向成長の評価

〇(B)高細工 彩斗1、平井 杜和1、森本 敦己1、高倉 健一郎1、角田 功1 (1.熊本高等専門学校)
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10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[23a-A602-6]局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析

〇(M1)岩本 蒼典1、細井 卓治2、小林 拓真1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.関学大工)
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10:30 〜 10:45

[23a-A602-7]スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長

〇壁谷 汰知1、柴山 茂久1、高木 孝明1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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10:45 〜 11:00

[23a-A602-8]Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写

〇前田 辰郎1、石井 裕之1、張 文馨1、張 師宇2、柴山 茂久2、黒澤 昌志2、中塚 理2 (1.産総研、2.名大院工)
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11:00 〜 11:15

[23a-A602-9][講演奨励賞受賞記念講演] Si1−xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性

〇大岩 樹1、柴山 茂久1、坂下 満男1、中塚 理1,2、片瀬 貴義3、黒澤 昌志1 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東工大元素MDXセ)
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