[23a-A602-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶 | 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[23a-A602-1~9]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2023年9月23日(土) 9:00 〜 11:15

A602 (熊本城ホール)

有元圭介(山梨大)

9:00 〜 9:15

[23a-A602-1]ポストアニールと薄化によるSn添加多結晶Ge薄膜（≤20nm）のキャリア移動度の向上

〇古賀泰志郎¹、永野貴也¹、茂藤健太²、山本圭介²、佐道泰造¹ (1.九大システム情報、2.九大総理工)

9:15 〜 9:30

[23a-A602-2]絶縁基板上のSi薄膜の固相成長に与えるSn添加効果

〇花房佑樹¹、岡本絋汰¹、佐道泰造¹ (1.九大システム情報)

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[23a-A602-3]多結晶Ge薄膜に与える水素パッシベーション効果

〇野沢公暉¹、石山隆光¹、溝口拓士¹、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大学)

9:45 〜 10:00英語発表

[23a-A602-4]Crystallization of n-type Si_0.1Ge_0.9 thin films by high-speed CW laser annealing

〇Rahmat Hadi Saputro^1,2, Ryo Matsumura¹, Tatsuro Maeda³, Naoki Fukata^1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba, 3.AIST)

10:00 〜 10:15

[23a-A602-5]2段階熱処理による非晶質Ge/SiO2のMg誘起横方向成長の評価

〇(B)高細工彩斗¹、平井杜和¹、森本敦己¹、高倉健一郎¹、角田功¹ (1.熊本高等専門学校)

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[23a-A602-6]局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析

〇(M1)岩本蒼典¹、細井卓治²、小林拓真¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.関学大工)

10:30 〜 10:45

[23a-A602-7]スパッタリング法によるInP基板上のGe_0.75Sn_0.25エピタキシャル成長

〇壁谷汰知¹、柴山茂久¹、高木孝明¹、坂下満男¹、黒澤昌志¹、中塚理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

10:45 〜 11:00

[23a-A602-8]Ge格子整合系Si_xGe_1-x-ySn_y三元混晶とその転写

〇前田辰郎¹、石井裕之¹、張文馨¹、張師宇²、柴山茂久²、黒澤昌志²、中塚理² (1.産総研、2.名大院工)

11:00 〜 11:15

[23a-A602-9][講演奨励賞受賞記念講演] Si₁₋_xSn_x薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性

〇大岩樹¹、柴山茂久¹、坂下満男¹、中塚理^1,2、片瀬貴義³、黒澤昌志¹ (1.名大院工、2.名大未来研、3.東工大元素MDXセ)

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