講演情報

[23a-A602-7]スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長

〇壁谷 汰知1、柴山 茂久1、高木 孝明1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード:

GeSn,InP,スパッタリング法