[23a-B201-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15

[23a-B201-1] SiドープInAs/GaAs再成長ソース・ドレイン領域を有するGaNチャネルHEMTのDC特性

〇星 拓也¹、吉屋 佑樹¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：

GaN HEMT,再成長InAs/GaAs,MOCVD