2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B201-1~11]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年9月23日(土) 9:00 〜 12:00
B201 (市民会館)
牧山 剛三(住友電工)
9:00 〜 9:15

[23a-B201-1]SiドープInAs/GaAs再成長ソース・ドレイン領域を有するGaNチャネルHEMTのDC特性

〇星 拓也1、吉屋 佑樹1、杉山 弘樹1、中島 史人1 (1.NTT先端集積デバイス研)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[23a-B201-2]フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続PSJトランジスタのシミュレーション及び作製

〇(M2)小久保 瑛斗4、渡邉 浩崇1、田中 敦之1、出来 真斗2、新田 州吾1、本田 善央1,2,3、天野 浩1,2,3 (1.未来研、2.Dセンター、3.高等研究院、4.名大院工)
9:30 〜 9:45

[23a-B201-3]EID AlGaN/GaN MOS-HEMTの400V/10Aスイッチング動作実証EID AlGaN/GaN MOS-HEMTの400V/10Aスイッチング動作実証

〇南條 拓真1、山本 章太郎1、品川 友宏1、古橋 壮之1、西川 和康1、江川 孝志2 (1.三菱電機 先端総研、2.名工大)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[23a-B201-4]単結晶AlN基板上への薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

〇川出 智之1、米谷 宜展1、田中 さくら1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大工)
10:00 〜 10:15

[23a-B201-5]組成傾斜AlxGa1-xN (x: 0.77 → 1)チャネルを用いたAlN系分極ドープFET

〇廣木 正伸1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
10:15 〜 10:30

[23a-B201-6]耐圧向上を目指したGD間膜厚分布を持つHigh-k膜によるGaN HEMT

〇伊東 幸風1、宮本 恭幸1 (1.東工大)
10:45 〜 11:00

[23a-B201-7]N極性GaN HEMTのバッファリーク低減および3端子特性の改善

〇早坂 明泰1、吉田 成輝1、平崎 貴英1、眞壁 勇夫1、岡田 政也1、辻 幸洋1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[23a-B201-8]ScAlN/GaNおよびAlGaN/GaNの二次元電子ガス濃度の数値計算と解析モデルの提案

〇若本 裕介1、小林 篤2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大工、2.東京理科大)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[23a-B201-9]高放熱パワーデバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製

〇(M1)森山 千春1、川村 啓介2、大内 澄人2、浦谷 泰基2、大野 裕3、井上 耕治3、永井 康介3、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公立大工、2.エア・ウォーター(株)、3.東北大金研)
11:30 〜 11:45

[23a-B201-10]二層カーボンコンポジット高熱伝導材によるGaNデバイスの低熱抵抗化

〇大崎 賢司1、土屋 洋一1、齊藤 裕人1、田中 敦之2、須賀 唯知3、マルティネス ノラ3、竹馬 克洋4、分島 彰男1 (1.名古屋工業大学、2.名古屋大学、3.明星大学、4.株式会社サーモグラフィティクス)
11:45 〜 12:00

[23a-B201-11]常温活性化接合を用いた1インチ級GaN on Diamond HEMTの作製

〇(D)白柳 裕介1,2、友久 伸吾1、笠村 啓司2、豊田 洋輝2、松前 貴司3、倉島 優一3、高木 秀樹3、久保田 章亀2、長永 隆志1 (1.三菱電機、2.熊本大学、3.産総研)
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