[23a-B201-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:45 〜 12:00

[23a-B201-11] 常温活性化接合を用いた1インチ級GaN on Diamond HEMTの作製

〇(D)白柳 裕介^1,2、友久 伸吾¹、笠村 啓司²、豊田 洋輝²、松前 貴司³、倉島 優一³、高木 秀樹³、久保田 章亀²、長永 隆志¹ (1.三菱電機、2.熊本大学、3.産総研)

キーワード：

高周波デバイス,窒化ガリウム,ダイヤモンドデバイス

窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の出力電力向上のための課題の一つとして、自己発熱による素子温度上昇に伴う特性劣化があげられる。その解決策として、高い熱伝導率を有するダイヤモンドを基板に用いたGaN-on-Diamond（GoD）HEMTの研究が進められている。我々は、デバイスコスト低減につながる大面積化に向けて、常温活性化接合を用いた1インチ級のGoD HEMTの作製に成功した。本報告では、そのデバイスの作製プロセス及びその評価結果を報告する。