[23a-B201-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15

[23a-B201-5] 組成傾斜Al_xGa_1-xN (x: 0.77 → 1)チャネルを用いたAlN系分極ドープFET

〇廣木 正伸¹、熊倉 一英¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

AlN,AlGaN

前回、Al組成下降傾斜AlGaN下地層を有する組成傾斜AlGaNチャネル分極ドープFET構造において、3次元電子スラブ(3DES)が形成されることを報告した。今回、本構造のFET動作について報告する。最大ドレイン電流は70 mA/mmであり、AlN MESFETよりも100倍以上高い値が得られた。オフ状態のリーク電流は4✕10^-10 A/mmと非常に低く、10⁸以上の高いオンオフ比も得られた。