[23a-B201-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[23a-B201-9] 高放熱パワーデバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製

〇(M1)森山 千春¹、川村 啓介²、大内 澄人²、浦谷 泰基²、大野 裕³、井上 耕治³、永井 康介³、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪公立大工、2.エア・ウォーター(株)、3.東北大金研)

キーワード：

GaN-HEMTs,ダイヤモンド,表面活性化接合

GaN HEMTsの放熱性向上を目指したon-diamond 構造の実用化を目標にして、表面活性化接合法により、GaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製に取り組んだ。その結果、10mm角の多結晶ダイヤモンド基板へのAlGaN/GaN/3C-SiC層の転写を実現し、GaN HEMTs on diamond構造の作製に成功した。