[23a-B205-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

11:30 〜 11:45

[23a-B205-10] MBE法によるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃上へのCdSe成長

〇小田部 龍哉¹、近藤 智祐¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：

トポロジカル絶縁体,Bi2Se3,CdSe

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃では物質内部は絶縁体であるのに対し，表面にギャップレスの高移動度，スピン偏極したトポロジカル電子状態が発現する．しかし単結晶において，トポロジカル電子状態は表面酸化の影響を受けてしまう．そこで我々は，Bi₂Se₃と絶縁体を交互に積層した超格子の作製を最終目標としている．本研究では絶縁体層としてCdSeを選定し，CdSe層の成長温度依存性について検証した．