講演情報
[23a-B205-9]電子線照射とその後の回復熱処理によって形成されたSi中深い準位の非発光再結合信号
〇原口 佑斗1、矢田部 龍彦1、碇 哲雄1、福山 敦彦1、佐々木 駿2、佐俣 秀一2、三次 伯知2 (1.宮崎大工、2.株式会社 SUMCO)
キーワード：
深い準位,Si パワーデバイス
一部のパワーデバイス作製時にはSi基板への電子線照射とその後の回復熱処理が行われる。本研究では圧電素子光熱変換分光法と過渡容量分光法を用いて、深い準位の評価を行った。その結果、400℃の回復熱処理を行うことで生じる電子トラップが再結合中心として働いていることが示唆された。