[23p-A307-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

13:45 〜 14:00

[23p-A307-4] 各種多元系n形酸化物半導体薄膜を用いる透明ReRAMの作製と
抵抗変化機構の検討

〇木村 京介¹、石田 竜也¹、宮田 俊弘¹ (1.金沢工大)

キーワード：

ReRAM,n形酸化物半導体