2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

[23p-A307-1~15]6.3 酸化物エレクトロニクス

2023年9月23日(土) 13:00 〜 17:00
A307 (熊本城ホール)
島 久(産総研)、 高 相圭(株式会社村田製作所)
13:00 〜 13:15

[23p-A307-1]SmNiO3界面とナノ構造制御によるプロトン駆動型抵抗スイッチ機能の高効率化

〇(M2)梅崎 景都1、萱尾 清人2、藤 大雪2、大勝 賢樹3、山口 航3、新田 亮介3、真島 豊3、李 好博1、服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.阪大院工、3.東工大フロンティア材料研究所)
13:15 〜 13:30

[23p-A307-2]電極/ルチルTiO2単結晶の界面での電界に誘起された導電性の発現：温度に依存する二つのメカニズム

〇鈴木 拓1、山下 良之1、坂口 勲1 (1.物材機構)
13:30 〜 13:45英語発表

[23p-A307-3]Empowering Efficiency: Scaling Device Area for Ultra-low-power Dissipation in Protonic Synapses

〇SatyaPrakash Pati1, Satoshi Hamasuna1, Takeaki Yajima1 (1.Kyushu Univ.)
13:45 〜 14:00

[23p-A307-4]各種多元系n形酸化物半導体薄膜を用いる透明ReRAMの作製と
抵抗変化機構の検討

〇木村 京介1、石田 竜也1、宮田 俊弘1 (1.金沢工大)
14:00 〜 14:15

[23p-A307-5]単結晶hBNフレーク上に作製したVO2の電流誘起抵抗スイッチングにおけるフレーク境界の効果

〇(M1)冨田 雄揮1、中払 周2、若山 裕2、渡邉 賢治2、谷口 尚2、李 好博1、服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.物質・材料機構)
14:15 〜 14:30

[23p-A307-6]HfO2-ReRAMへの電圧パルス印可でのコンダクタンス変化のoff time依存性

〇田中 正和1、岡安 真治1、黄 川洋1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大理工)
14:30 〜 14:45

[23p-A307-7]ブリッジ型a-CaO犠牲層を用いた酸化物薄膜の選択成長に関する検討

〇梶谷 亮介1、田口 聖也1、川江 健1 (1.金沢大理工)
15:00 〜 15:15

[23p-A307-8]均一沈殿・水熱法を用いたシュウ酸チタン塩からの酸化チタンナノ粒子の合成：Anatase/Rutile相の制御

〇(M2)梶原 奨平1、板谷 清司1,2、桑原 英樹1、遠山 岳史2、横井 太史3、佐々木 哲朗4、黒江 晴彦1 (1.上智大理工、2.日大理工、3.東医歯大生材研、4.静岡大電研)
15:15 〜 15:30

[23p-A307-9]熱処理による酸化チタンナノ粒子の電子状態

〇中台 健太1、奥平 幸司1 (1.千葉大学)
15:30 〜 15:45

[23p-A307-10]液相析出法による異種元素添加酸化チタン光触媒の合成 とメタン分解への応用

〇本田 光裕1、吉井 祐作1、岡山 誠史2、市川 洋1 (1.名工大応物、2.ケイミュー株式会社)
15:45 〜 16:00

[23p-A307-11]室温成膜したCeO2下地層付きTiO2スパッタ薄膜の光触媒特性

〇若生 仁志1 (1.デクセリアルズ)
16:00 〜 16:15

[23p-A307-12]ゾルゲル法より作製したNitrogen(窒素)ドープ酸化亜鉛の電子状態

〇(M1)本廣 慎太郎1、奥平 幸司1 (1.千葉大院融合理工)
16:15 〜 16:30

[23p-A307-13]高周波マグネトロンスパッタリング法による薄膜太陽電池用Cu2O薄膜の作成

〇石田 竜也1、木村 京介1、宮田 俊弘1 (1.金沢工大)
16:30 〜 16:45

[23p-A307-14]スピンスプレー法で作製したPET基板上Cu2O膜に原料溶液濃度が与える影響

〇高廣 徹1、宮﨑 尚1、北原 功一1、岡本 庸一1 (1.防衛大材料)
16:45 〜 17:00

[23p-A307-15]Ca(OH)2を添加したグラファイト状窒化炭素の光触媒性能改善

〇青木 瑞稀1、栗田 雄平1、大谷 直毅1 (1.同志社大理工)
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