[23p-A307-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

14:00 〜 14:15

[23p-A307-5] 単結晶hBNフレーク上に作製したVO₂の電流誘起抵抗スイッチングにおけるフレーク境界の効果

〇(M1)冨田 雄揮¹、中払 周²、若山 裕²、渡邉 賢治²、谷口 尚²、李 好博¹、服部 梓¹、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.物質・材料機構)

キーワード：

二酸化バナジウム,六方晶窒化ホウ素