講演情報

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[23p-A602-6]Ge-on-Si(111)上の歪みSiGe/Ge多重量子井戸形成における臨界膜厚の増加とクラック発生の抑制

〇金澤伶奈¹、菊岡柊也¹、芝原夕夏¹、我妻勇哉¹、山田道洋^3,4,5、浜屋宏平^2,3,5、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大学、2.阪大基礎工、3.阪大CSRN、4.JST さきがけ、5.阪大 OTRI)

半導体,SiGe,多重量子井戸