[23p-A602-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

15:00 〜 15:15

[23p-A602-9] 歪みSi/SiGe/Si(110)MOS構造の界面準位密度の評価

〇青沼 雄基¹、藤澤 泰輔¹、堀内 未希¹、吉川 満希¹、山中 淳二¹、原 康祐¹、中川 清和²、有元 圭介¹ (1.山梨大、2.東京都市大)

キーワード：

界面準位,歪みSi,MOS