講演情報
[23p-B201-1]SiO2/β-Ga2O3界面形成条件が与えるβ-Ga2O3表面近傍の酸素欠損量の違いの検討
〇片桐 浩生1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
キーワード：
Ga2O3,XPS,界面
SiO2/β-Ga2O3のMOSキャパシタのCV測定で、O2雰囲気で1000°C 1時間のPDAを行うことによりほぼ理想的な界面特性が得られる。このことから、酸素欠損の低減が電気的な特性の変化に寄与することが予想される。この予想の検証を目的として、X線光電子分光法(XPS)で得られる化学結合状態の観点から、界面形成条件としてPDA雰囲気とSiO2の成膜手法に注目し、それらの違いが与えるSiO2/β-Ga2O3の酸素欠損の量の変化を調査した。