講演情報
[23p-B205-3]MBE法によるβ-FeSi2上へのGe成長とひずみ評価
〇石飛 新太郎1、長友 颯一朗1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
キーワード：
結晶,ゲルマニウム,ひずみ
Geは間接遷移半導体であるが，2%の引張ひずみ導入により直接遷移化する．これまでSi上のGeにおいて，SiとGeの熱膨張係数差を利用してGeへの引張ひずみの導入が試みられてきた．しかし，Ge/Si間の熱膨張係数差が小さいため，引張ひずみは0.3%と小さい．そこで本研究では，Geへの引張ひずみの増大を目的とし，β-FeSi2上にGeを成膜した．Ge/β-FeSi2間の熱膨張係数差はGe/Si間より3倍大きいため，報告値0.3%を超える引張ひずみの導入が期待される．