講演情報
[23p-B205-4]β-FeSi2 pnホモ接合における分光感度のSi/Fe供給比依存性
〇田中 光太1、神田 秀和1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
キーワード：
半導体,暗電流,Si/Fe供給比
シリサイド半導体β-FeSi2は，近赤外領域の光電変換材料として期待されている．我々はβ-FeSi2 pnホモ接合素子を作製し，近赤外領域での光検出に成功してきた．これまで，成長中の化学両論組成が達成されるSi/Fe供給比RSi/RFe = 1.17で素子を作製し，電流－電圧(I−V)特性と分光感度特性を調査してきた．この素子では，pn接合界面に欠陥が存在し，暗電流が増加していると考えられる．そこで本研究では，Si/Fe比を変化させて素子を作製し，暗電流値と分光感度のSi/Fe供給比依存性を検証した．