セッション詳細
[21p-A501-1~4]9.3 ナノエレクトロニクス
2023年9月21日(木) 13:00 〜 14:00
A501 (熊本城ホール)
知田 健作(NTT)
[21p-A501-1]AlOx被覆したAuPd合金を用いたナノギャップスイッチ効果
〇(M1)筒井 優貴1、竹井 慎登1、内藤 泰久2、塚越 一仁3、菅 洋志1 (1.千葉工大、2.産総研、3.物材機構)
[21p-A501-2]電極間隔を制御可能なナノギャップデバイスの開発
〇岸本 知磨1、花村 友喜1、山田 亮1、夛田 博一1 (1.阪大院基礎工)
[21p-A501-3]ナノギャップ電極におけるフォノンによる熱輸送の近接場効果の計測
〇花村 友喜1、岸本 知磨1、山田 亮1、夛田 博一1 (1.阪大院基礎工)
[21p-A501-4]CNT/Cuの負性容量特性
〇(M1)松尾 海飛1、谷岡 優樹1、藤本 颯太1、清藤 亮1、孫 勇1 (1.九工大工)