講演情報
[10a-N302-10]極低温におけるバルクMOSFETのサブスレッショルド電流ばらつきの解析
〇水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研)
キーワード：
クライオCMOS、ばらつき、サブスレッショルド電流
65 nm技術で作製したバルクMOSFETのサブスレッショルド領域におけるばらつきを，300 Kおよび1.5 Kにおいて，トランジスタマトリックスアレイを用いて測定した．室温でのサブスレッショルド特性はサブスレッショルド・スロープ (SS) で評価される．しかしながら，極低温おける短チャネルMOSFETのId-Vg特性は，サブスレショルド領域でキンクやハンプなどが見られ，微分で定義されるSSでばらつきを評価することは困難である．本研究では，SSに代わる指標を定義し，バルクMOSFETのサブスレショルド電流ばらつきを解析した．