[10a-N302-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術 | 2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[10a-N302-1~11]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2025年9月10日(水) 9:00 〜 12:00

N302 (共通講義棟北)

9:00 〜 9:15

[10a-N302-1]ソース分割型シリコン並列単電子ポンプによるナノアンペア動作

〇山端元音¹、清水貴勢¹、西口克彦¹、藤原聡¹ (1.NTT物性研)

9:15 〜 9:30

[10a-N302-2]スピン量子ビットの共鳴トンネル読み出しにおける谷分裂の影響

〇棚本哲史¹、大野圭司² (1.帝京大理工、2.理研)

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-N302-3]トンネルダイオード発振器を用いた半導体量子ドットのRF反射測定

〇荒川雄登¹、グリットセンコアイヴァン²、Rybalko Oleksiy^2,3、溝口来成¹、川上恵里加²、小寺哲夫¹ (1.Science Tokyo、2.理化学研究所、3.ハルキウ低温研究所)

9:45 〜 10:00

[10a-N302-4]バリアゲートによるポテンシャル障壁の形成を利用した3次元積層型シリコン量子ドット

〇(D)金駿午¹、二木大輝¹、水谷朋子¹、更屋拓哉¹、岡博史²、森貴洋²、小林正治^1,3、平本俊郎¹ (1.東大生研、2.産総研、3.東大d.lab)

10:00 〜 10:15

[10a-N302-5]垂直積層2層シリコン量子ドットの実証

〇(DC)二木大輝¹、金駿午¹、水谷朋子¹、更屋拓哉¹、岡博史²、森貴様²、小林正治^1,3、平本俊郎¹ (1.東大生研、2.産総研、3.東大d.lab)

10:15 〜 10:30

[10a-N302-6]Fin型シリコン量子ドット素子の特性解析におけるV_PG-V_BGマップの活用

〇千足勇介¹、加藤公彦¹、射場義久¹、岡博史¹、飯塚将太¹、浅井栄大¹、小倉実¹、稲葉工¹、森貴洋¹ (1.産総研)

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[10a-N302-7]シリコン量子ビットデバイスの迅速評価に向けた極低温スイッチング回路の導入

〇福田毅¹、松田達也¹、松岡竜太郎¹、柳至²、峰利之²、土屋龍太²、久本大²、水野弘之²、溝口来成¹、米田淳^1,3、小寺哲夫¹ (1.東京科学大、2.日立研開、3.東大)

11:00 〜 11:15

[10a-N302-8]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (17) -単一欠陥準位の定義-

〇土屋敏章¹、堀匡寛¹、小野行徳¹ (1.静大電研)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[10a-N302-9]CMOS応用に向けた高不純物濃度Siの極低温伝導度モデリング

〇(D)吉永啓人¹、豊島遼¹、多田宗弘²、内田建¹ (1.東大工、2.慶大)

11:30 〜 11:45

[10a-N302-10]極低温におけるバルクMOSFETのサブスレッショルド電流ばらつきの解析

〇水谷朋子¹、竹内潔¹、更屋拓哉¹、岡博史²、森貴洋²、小林正治¹、平本俊郎¹ (1.東大生研、2.産総研)

11:45 〜 12:00

[10a-N302-11]極低温におけるバルクMOSFETのサブスレッショルド電流ばらつきの統計分布