講演情報
[10a-N302-5]垂直積層2層シリコン量子ドットの実証
〇(DC)二木 大輝1、金 駿午1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴様2、小林 正治1,3、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研、3.東大d.lab)
キーワード：
量子ドット、量子ビット、シリコン
シリコン量子ドットは，CMOS技術との互換性から量子コンピュータ実現に向け有望な候補である．しかし横方向配置では集積密度に限界があり，3次元積層構造への移行が重要となる．本研究では垂直2層積層シリコン量子ドットデバイスを作製，実証した．4Kで量子ドット動作を観測し，各層の量子ドットを個別に制御できることを確認した．これは，3次元積層型量子ビットデバイスの実現可能性を実証する重要な成果である．