講演情報
[10a-N302-8]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (17) -単一欠陥準位の定義-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
単一界面欠陥、単一欠陥準位の定義、チャージポンピング
バンドギャップ内でチャージポンピング法によって検出可能なエネルギー範囲の上端Eem,eおよび下端Eem,h付近に存在する単一界面欠陥（トラップ）の各A-likeおよびD-like準位位置確定のための検討を行った．電子占有確率が0.5となるエネルギー位置を各準位の位置と定義し，実測によりA-likeおよびD-like準位位置を導出した．これらの結果によってDOSのピーク位置とピーク高さが改善された．