講演情報
[10a-N302-9]CMOS応用に向けた高不純物濃度Siの極低温伝導度モデリング
〇(D)吉永 啓人1、豊島 遼1、多田 宗弘2、内田 建1 (1.東大工、2.慶大)
キーワード：
極低温、伝導度、半導体
nウェル抵抗の電気伝導度を室温から4.3 Kまで測定し，可変領域ホッピング伝導が支配的な低温域の実験データを，フェルミ準位と状態密度の温度依存性を考慮した数値計算によって，高精度に再現することに成功した．低補償半導体におけるフェルミ準位の計算のため，補償アクセプタによるドナーのイオン化と，ホッピング伝導可能な電子による遮蔽への寄与を考慮した計算手法を開発した．