講演情報
[10a-N303-3](110)GaAs/AlGaAs量子井戸におけるスピン緩和機構の定量的考察II
〇大野 裕三1,2、揖場 聡2 (1.筑波大学院数理、2.産総研)
キーワード：
スピントロニクス、量子井戸、スピン軌道相互作用
前回の応用物理学会において、 (110)面GaAs/AlGaAs量子井戸における２次元電子のスピン緩和についてElliott-Yafet（EY）機構、励起子スピン緩和機構、およびサブバンド間散乱によるスピン緩和の３つを考慮することでその温度依存性や励起強度依存性を定量的に説明できることを報告した。今回、さらに解析を進めた結果、Dresselhausのスピン軌道相互作用係数γが10eVA3のとき計算結果と実験値がよく一致することを明らかにした。