[10a-N305-1~11] CS.11 12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェアセッション

11:45 〜 12:00

[10a-N305-11] 窒化チタン電極を形成したCMOSアレイセンサのイオン応答特性とバイオセンシングへの応用

Chew Zhi Shun¹、〇土井 英生¹、堀尾 智子¹、崔 容俊¹、高橋 一浩¹、野田 俊彦¹、澤田 和明¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：

イオンイメージング、窒化チタン、電位検出型CMOSアレイセンサ

脳細胞外における情報伝達物質の高分解能イメージングに向け，我々はこれまでに導電性の窒化チタン（TiN）を形成したCMOSアレイセンサの応用を検討してきた。TiNはコンタクトにおけるバリアメタルとして用いられ，CMOSプロセスとの相性がよい。本研究では，電位検出型CMOSアレイセンサ（画素ピッチ4.19 µm）のイオン計測特性を評価した。また，センサ上に可塑化PVCを用いたイオン選択性感応膜を形成し，バイオセンシングへの応用を検討した。