[10a-N401-1~9] 13.3 絶縁膜技術

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-N401-3] Si(111)酸化におけるLinear-Parabolic growth開始遅れの物理的意味

〇(M1)Wen Hengyu¹、津田 泰孝²、岡部 優希¹、吉越 章隆²、高桑 雄二³、小川 修一¹ (1.日本大学、2.原子力機構、3.東北大学)

キーワード：

シリコン酸化膜、界面酸化、リアルタイムXPS

本研究では、Si(111)表面酸化過程をリアルタイムXPSで観察し、Siドライ酸化は二種類の1次反応と０次反応（Linear-Parabolic growth）の中でのL-P growth開始遅れの酸素圧力と温度依存から、界面酸化での欠陥準位の役割を検証し、Si統合酸化反応モデル（Loops A/B & L-P growth）を考察した。結果から、Loop L-PはLoop Bの反応経路の途中で二段階酸化が起きる前に少数キャリア捕獲して分岐した2(P_b0 + P_b1)が出発点となり、Si-O切断による未結合手がO₂解離吸着サイトとして機能することが明らかとなった。