2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[10a-N402-1~11]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2025年9月10日(水) 9:00 〜 12:00
N402 (共通講義棟北)
9:00 〜 9:15

[10a-N402-1]自己触媒法InP/InAsナノワイヤ配列の光学特性改善

〇章 国強1,2、Haochen Zhou1、滝口 雅人1,2、後藤 秀樹3、眞田 治樹1 (1.NTT物性基礎研、2.NTTナノフォトセンタ、3.広島大)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-N402-2]SiON/W/SiO2多層膜マスクを用いたSOI上InGaAsナノワイヤ選択成長

〇谷山 慶太1、東 佑樹1、藤本 開1、本久 順一1、冨岡 克広1 (1.北大院情報科学および量子集積センター)
9:30 〜 9:45

[10a-N402-3]MOVPE選択成長法によるWZ-AlInPフィン成長と評価

〇東 佑樹1、鄭 子ヨウ1、谷山 慶太1、内田 凌聖1、本久 順一1、冨岡 克広1 (1.量子集積センター)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[10a-N402-4]InAsナノワイヤ選択成長における熱処理エッチングの検討

〇八宮 道馬1,2、東 佑樹1,2、谷山 慶太1,2、内田 凌聖1,2、冨岡 克広1,2、本久 順一1,2 (1.北海道大、2.RCIQE)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[10a-N402-5]２インチSiOx/Si(111)ウエハ上垂直GaAsナノワイヤの100%収率に向けたドロップレットエッチングの活用

〇峰久 恵輔1、佐野 真浩1、和島 颯汰1、後藤 拓翔1、中間 海音1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ)
10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[10a-N402-6]Si(111)基板上Ga自己触媒GaAsナノワイヤ初期核生成期のピンホール近傍界面歪状態

〇中間 海音1,2、石川 史太郎1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)
10:45 〜 11:00

[10a-N402-7]2インチシリコン基板上GaAs/GaNAs/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤにおける光学特性の量子井戸数依存性

〇杉原 貫太郎1,2、峰久 恵輔1,2、佐野 真浩1,2、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[10a-N402-8]GaAs/GaInNAsSb コア-マルチシェルナノワイヤにおける Sb サーファクタント効果が与えるN組成の変化

〇(M2)後藤 拓翔1、中間 海音1、橋本 英李1、峰久 恵輔1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[10a-N402-9]HSQマスクを用いたGaSbナノワイヤのMBE成長

〇(D)小松 颯1、赤堀 誠志1 (1.北陸先端大ナノセ)
11:30 〜 11:45

[10a-N402-10]格子不整合系InGaAs太陽電池転位すべり面の異方性によるSGB層傾斜不均一の発生位置
の放射線を用いた評価

〇橋本 直樹1、小倉 暁雄2、今泉 充3、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工、2.筑波大、3.三条市立大)
11:45 〜 12:00

[10a-N402-11]Porous Si基板の孔間距離がGaAs薄膜成長に与える影響

〇佐久間 桃子1、源 龍之介1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)
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