[10a-N402-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[10a-N402-6] Si(111)基板上Ga自己触媒GaAsナノワイヤ初期核生成期のピンホール近傍界面歪状態

〇中間 海音^1,2、石川 史太郎^1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)

キーワード：

分子線エピタキシー、ナノワイヤ、気相-液相-固相成長