講演情報
[10a-P01-9]シリコンプラズモニクスによる深紫外感度向上技術
〇小野 篤史1,2、田中 悠一朗1、居波 渉1,2、川田 善正1,2 (1.静大院工、2.静大電研)
キーワード：
プラズモン、シリコン、光検出器
我々は，Siが深紫外域において負の誘電率を示すことに着目し，Siの励起電子による表面プラズモン共鳴が光電流の増大に直接寄与するのではないかと考え，光伝導型Siセンサの深紫外感度向上を世界で初めて実証した．Si表面に周期210nmの凹凸構造を形成し，波長266nmの深紫外光を照射したところ，平面構造と比較して検出感度が約3倍向上した．半導体の金属的光学応答性を利用した新たなプラズモニクス応用の方向性を提示する研究といえる．