[10a-P05-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-P05-1] AlNバッファ層を用いたBGaN中性子検出器の作製と評価

〇鈴木 隆介¹、工藤 涼兵¹、及川 徹¹、小久保 瑛斗²、若林 源一郎³、本田 善央⁴、天野 浩⁴、井上 翼¹、青木 徹⁵、中野 貴之⁵ (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.名大IMaSS、5.静大電研)

キーワード：

BGaN、AlN、半導体検出器