セッション詳細
[10a-P05-1~16]15.4 III-V族窒化物結晶
2025年9月10日(水) 9:30 〜 11:30
P05 (体育館)
[10a-P05-1]AlNバッファ層を用いたBGaN中性子検出器の作製と評価
〇鈴木 隆介1、工藤 涼兵1、及川 徹1、小久保 瑛斗2、若林 源一郎3、本田 善央4、天野 浩4、井上 翼1、青木 徹5、中野 貴之5 (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.名大IMaSS、5.静大電研)
[10a-P05-2]RF-MBE法による高Al組成AlGaN薄膜の厚膜化条件の検討
〇笠井 遼太郎1、田中 練1、中本 トラン2、赤池 良太3、中村 孝夫3,4、三宅 秀人3、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.三重大院工、4.三重大未来図)
[10a-P05-3]ノーマリーオン型リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FETの高温デバイス特性
〇LI ZHIPENG1、張 偉祥1、白須 翔1、森田 廉1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
[10a-P05-4]リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ構造 FET のデバイス特性のリセス深さ依存性
〇張 偉祥1、白須 翔1、森田 廉1、リ チホウ1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
[10a-P05-5]AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたリセス構造ゲートレスUVセンサーの作製と評価
〇白須 翔1、森田 廉1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
[10a-P05-6]陽極酸化順バイアス条件および逆バイアス条件にて電気化学的通電をしたAlGaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性(Ⅱ)
〇森田 廉1、安藤 陸1、須田 順子1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
[10a-P05-7]GaN基板を用いたBGaN自立型中性子検出器の試作および評価
〇竹中 壮太郎1、櫻井 辰大1、工藤 涼兵1、小久保 瑛斗2、都木 克之3、小田 達郎4、日野 正裕5、本田 善央6、天野 浩6、井上 翼1、青木 徹3、中野 貴之1,3 (1.静大院工、2.名大院工、3.静大電研、4.東大物性研、5.京大複合研、6.名大IMaSS)
[10a-P05-12]光遺伝学応用マイクロLEDプローブの光学的・熱的特性解析
〇山田 晃大1、西川 敦2、Alexander Loesing2、関口 寛人3,1 (1.豊橋技大、2.ALLOS、3.名城大)
[10a-P05-13]Naフラックス法におけるポイントシード間距離がGaN結晶転位密度に与える影響
〇佐々木 稜太郎1、今西 正幸1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
[10a-P05-16]GaNスパッタリングターゲットを用いた薄膜作製と物性評価
〇上岡 義弘1、常盤 美怜1、板東 廣朗1、三崎 日出彦1、上向井 正裕2、谷川 智之2、片山 竜二2、召田 雅実1 (1.東ソー、2.阪大院工)