2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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[10a-P05-3]
ノーマリーオン型リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FETの高温デバイス特性
〇LI ZHIPENG
1
、張 偉祥
1
、白須 翔
1
、森田 廉
1
、藤岡 洋
2
、前田 就彦
1
(1.東京工科大工、2.東大生研)
キーワード：
AlGaN/GaNヘテロ構造
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