講演情報
[10p-N206-12]RFマグネトロンスパッタリング法により成膜したDUV-LEDコンタクト層用MoOxの評価
〇柴田 一翔1、久志本 真希1、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大高等研究院)
キーワード：
酸化物、深紫外LED
本研究は、深紫外LEDの効率向上を目的に、MoOxをp型AlGaNとのコンタクト層として評価した。RFマグネトロンスパッタ法でMoOx薄膜を成膜し、成膜条件による電気特性と組成の変化を調査。酸素ガス導入により抵抗増加が確認され、Moの価数が変化したことが原因と推定された。Moの価数制御により、MoOxは深紫外LEDに適したコンタクト材料となる可能性が示唆された。