セッション詳細

[10p-N206-1~13]6.3 酸化物エレクトロニクス

2025年9月10日(水) 13:30 〜 17:00
N206 (共通講義棟北)

[10p-N206-1]高速プロトン拡散現象を目指したエピタキシャルEuNiO3薄膜の作製

〇(M1)中西 健太1、田中 秀和1,2、李 好博1,2 (1.阪大産研、2.大阪大学先導的学際研究機構スピン学際研究部門)

[10p-N206-2]反復温度変調法による高品質LiTi2O4薄膜の成長

〇(M1)高嶋 秀1、相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工)

[10p-N206-3]キトサン併用アニーリングしたZnOナノ粒子の難分解性物質に対する光触媒分解能

〇國本 虎太郎1、川上 烈生1、柳谷 伸一郎1,2、中野 由祟3、新部 正人4 (1.徳島大理工、2.徳島大pLED、3.中部大、4.東京大)

[10p-N206-4]走査型電気化学セル顕微鏡を用いた光アノード電極における酸化反応の結晶面依存性に関する研究

〇平田 海斗1,2、本田 航大2、天野 史章3、福間 剛士4、高橋 康史2,4 (1.名工大、2.名大、3.都立大、4.金沢大)

[10p-N206-5]電界効果トランジスタ型MoOx/グラフェン複合ガスセンサを用いたセンシング特性の電界効果依存性

〇(M1)岡西 音哉1、桂 章皓1、廣瀬 由紀子1、永村 直佳2、小野 尭生3、植村 隆文4、菅原 徹1 (1.京工繊大工、2.NIMS、3.阪大基工、4.阪大産研)

[10p-N206-6]ナノ材料応用に向けたトポロジカルデータ解析による表面構造の定量的評価

〇高塚 和夏1、廣瀬 由紀子1、南谷 英美2、赤木 和人3、菅原 徹1,2 (1.京工繊大、2.阪大産研、3.東北大AIMR)

[10p-N206-7]ガスセンサ応用に向けたナノギャップ電極による酸化物半導体WO3ナノ粒子の電気特性評価

〇(M2)藤岡 諒1、村山 さなえ2、小本 祐貴2、Ramaraj Sankar Ganesh1、山原 弘靖1、谷口 正輝2、田畑 仁1 (1.東大院工、2.阪大産研)

[10p-N206-9]水素雰囲気中アニールによる酸化チタン薄膜の酸素欠損生成と光触媒活性の相関

〇森山 滉大1、田村 蒼汰1、田中 琉平1、落合 剛2、田村 友幸1、本田 光裕1 (1.名工大院応物、2.神奈川産業総研)

[10p-N206-10]チタン酸リチウム単一粒子内部における二相分離の考察

日沼 洋陽1、〇橘田 晃宜1 (1.産業技術総合研究所)

[10p-N206-11]酸化物半導体ナノ構造/NiOヘテロ接合のイオンセンサ性能について

〇木村 由斉1、燈明 泰成1 (1.東北大院工)

[10p-N206-12]RFマグネトロンスパッタリング法により成膜したDUV-LEDコンタクト層用MoOxの評価

〇柴田 一翔1、久志本 真希1、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大高等研究院)

[10p-N206-13]PLD法によるMgO-TiN固溶体薄膜の作製と物性評価

〇川口 昂彦1、平間 紀希1、坂元 尚紀1、脇谷 尚樹1 (1.静大院工)