[10p-N221-1~10] 3.10 フォトニック構造・現象

13:45 〜 14:00

[10p-N221-2] 逆設計による高Q-SiNフォトニック結晶L６/5共振器の作製と評価

〇滝口 雅人^1,2、Lim Xuen Zhen²、Heidt Peter²、相原 卓磨³、柳本 宗達²、角倉 久史^1,2、納富 雅也^1,2,4 (1.NTT NPC、2.NTT 物性研、3.NTT 先デ研、4.科学大理)

キーワード：

フォトニック結晶、窒化シリコン、共振器

高性能なSiNフォトニック結晶（PhC）共振器は、可視材料を用いたハイブリッド系を構築する上で重要である。しかし、これまで決定論的方法で設計した2次元SiN PhC共振器で高Q/Vの報告例はない。これは、SiNが低屈折率材料でありバンドギャップが大きく開かない、また面外損失が大きいことがあげられる。そこでこれまで我々は、逆設計の手法を用いQ値が50万を超えるL6/5型PhC共振器構造を設計し、これまでの報告例に比べてQ値を2桁改善し、Vも30％ほど小さくすることに成功した[1]。本研究ではさらにこの逆設計[2]で作製した共振器を実際に作製し、その特性を評価した。
[1] Heidt, 滝口他, 第70回応用物理学会春季学術講演会, 15a-A501-3
[2] M. Takiguchi, et.al., Opt. Express, 33, 2060 (2025)