講演情報
[10p-N301-10]Lu置換型ScAlMgO4基板上スパッタ成長GaInNの結晶性評価
〇深水 直斗1、伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、木下 実乃里1、榊原 愛1、石本 聖治2、西村 政哉2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4、伊井 詩織4 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション（株）、3.（株）オキサイド、4.芝浦メカトロニクス（株）)
キーワード：
ScAlMgO4、GaInN、スパッタ
MQWにGaInNを用いた高効率赤色LEDの実現は、MQWと下地の格子不整合によるピエゾ電界が問題であったため、サファイア基板の代わりにScAlMgO4基板を用い、下地として赤色MQWのIn組成に近いGaInNをスパッタ成長させ解決を図った。しかし、その下地は表面平坦性が悪くIn組成が低かった。そこで、基板のScサイトの一部をLuに置換し赤色MQWとの格子不整合を小さくし、下地GaInNをスパッタ成長させたので、結晶性・表面平坦性、In組成を報告する。