2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N301-1~13]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年9月10日(水) 13:30 〜 17:00
N301 (共通講義棟北)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[10p-N301-1]AlN極性反転構造における界面酸化プロセスの影響

〇玉野 智大1、赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2、赤瀬 善太郎4、冨谷 茂隆4、三宅 秀人1,2 (1.三重大 院工、2.三重大 半導体・デジタル未来創造センター、3.三重大 研究基盤推進機構、4.奈良先端大)
13:45 〜 14:00

[10p-N301-2]表面処理による窒素極性面AlNの表面状態に関する研究

〇木本 大星1、Zazuli Aina Hiyama1、山中 郁哉1、段畠 陽樹1、林内 天1、仁ノ木 亮祐1、平田 靖晃1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
14:00 〜 14:15

[10p-N301-3]ステップおよびキンクを含むGaN(000-1)表面の構造安定性および吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

〇秋山 亨1、田原 大樹1、河村 貴宏1 (1.三重大院工)
14:15 〜 14:30

[10p-N301-4]N極性面GaN/AlN HEMTにおけるGaNチャネル再成長に関する研究

〇段畠 陽樹1、Hiyama Zazuli Aina1、山中 郁哉1、木本 大星1、林内 天1、藤原 魁土1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[10p-N301-5]N極性面GaN/AlN構造におけるGaNチャネル層のTMGパルス供給成長

〇山中 郁哉1、Zazuli Aina Hiyama1、木本 大星1、仁ノ木 亮祐1、林内 天1、段畠 陽樹1、平田 靖晃1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
14:45 〜 15:00英語発表

[10p-N301-6]Transport limitation in N-polar AlN-based thin GaN channel HEMTs

〇Markus Pristovsek1, Yoann Robin1, Xu Yang1, Itsuki Furuhashi1, Chengzhi Zhang2, Matthew D. Smith2, Martin Kuball2, Sheng Zhang3, Xinhua Wang3 (1.Nagoya Univ., 2.Bristol Univ., 3.Inst. Microelectr. CAS)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-N301-7]薄膜型LED作製のためのScAlMgO4基板除去方法の検討

〇(M1)木下 実乃里1、坂本 龍星1、伊藤 涼太郎1、榊原 愛1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、鈴木 敦志2、石本 聖治2 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション)
15:30 〜 15:45

[10p-N301-8]THz-TDSEによるScAlMgO4基板上GaN極薄膜の膜厚および電気特性の非接触・非破壊同時測定

〇土田 海渡1、藤井 高志2,3、岩本 敏志3、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.立命館大総研、3.日邦プレシジョン)
15:45 〜 16:00

[10p-N301-9]RF-MBE 法によるScAlMgO4基板上InGaN成長条件の検討

〇西村 佳晃1、中本 トラン2、藤井 高志3、荒木 努1 (1.立命館大学理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研)
16:00 〜 16:15

[10p-N301-10]Lu置換型ScAlMgO4基板上スパッタ成長GaInNの結晶性評価

〇深水 直斗1、伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、木下 実乃里1、榊原 愛1、石本 聖治2、西村 政哉2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4、伊井 詩織4 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション（株）、3.（株）オキサイド、4.芝浦メカトロニクス（株）)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[10p-N301-11]格子制御ScAlMgO4基板上スパッタGaInNへのMQW成長

〇(M2)伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、深水 直斗1、木下 実乃里1、榊原 愛1、石本 聖治2、西村 政哉2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4、伊井 詩織4 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション(株)、3.(株)オキサイド、4.芝浦メカトロニクス(株))
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[10p-N301-12]ScAlMgO4基板上赤色LEDのためのn-GaInN成長に関する検討

〇(M1)榊原 愛1、伊藤 遼太郎1、坂本 龍星1、深水 直斗1、木下 実乃里1、石本 聖治2、鈴木 敦志2 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション)
16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[10p-N301-13]ScAlMgO4基板上GaInN系赤色PEDOT-LEDにおけるEBL組成の最適化

〇坂本 龍星1、伊藤 涼太郎1、深水 直斗1、木下 実乃里1、榊原 愛1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、鈴木 敦志2、石本 聖治2、松山 絵美2 (1.名城大学、2.E＆E エボリューション (株))
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