[10p-N301-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:00 〜 14:15

[10p-N301-3] ステップおよびキンクを含むGaN(000-1)表面の構造安定性および吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

〇秋山 亨¹、田原 大樹¹、河村 貴宏¹ (1.三重大院工)

キーワード：

GaN、表面、第一原理計算