講演情報
[10p-N301-7]薄膜型LED作製のためのScAlMgO4基板除去方法の検討
〇(M1)木下 実乃里1、坂本 龍星1、伊藤 涼太郎1、榊原 愛1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、鈴木 敦志2、石本 聖治2 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション)
キーワード：
半導体
窒化物半導体は長波長化で外部量子効率が低下し、GaNとGaInNの格子不整合が原因とされる。対策として歪みを抑えるScAlMgO4基板を用い、劈開により薄膜化と光取り出し効率向上を図る。手動劈開は報告されているが方法は不明であり、残層除去も困難なため、段階的プロセスを構築した。