[10p-N302-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

13:30 〜 13:45

[10p-N302-1] ロジックトランジスタを用いた混載フラッシュメモリの最適化設計

〇平野 博茂¹、野間 淳史¹、栗山 寛明¹ (1.タワーパートナーズセミコンダクター)

キーワード：

混載フラッシュメモリ

各種半導体製品において、不揮発性メモリが要望される。特にプロセスコスト抑制できる専用デバイスを用いない不揮発性メモリの要望があり、通常のロジックトランジスタでフローティングゲートを構成したフラッシュメモリがある。これらの動作と特性を把握した上で最適化設計を行ったので報告する。