[10p-N302-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術 | 2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[10p-N302-1~11]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2025年9月10日(水) 13:30 〜 16:30

N302 (共通講義棟北)

13:30 〜 13:45

[10p-N302-1]ロジックトランジスタを用いた混載フラッシュメモリの最適化設計

〇平野博茂¹、野間淳史¹、栗山寛明¹ (1.タワーパートナーズセミコンダクター)

13:45 〜 14:00

[10p-N302-2]エネルギー最小点動作・非対称型SRAMセルの設計

〇藤下涼¹、塩津勇作¹、菅原聡¹ (1.東京科学大学・未来研)

14:00 〜 14:15

[10p-N302-3]エネルギー最小点動作PIMに応用可能な高ノイズ耐性SRAMセル

伊藤克俊¹、〇藤原拓真¹、塩津勇作¹、菅原聡¹ (1.東京科学大学・未来研)

14:15 〜 14:30

[10p-N302-4]XNOR-SRAMセルを用いた並列演算PIM型BNNアクセラレータ・マクロ

〇近藤慶音¹、塩津勇作¹、菅原聡¹ (1.東京科学大学・未来研)

14:30 〜 14:45

[10p-N302-5]EMP近傍動作・シングルエンドSRAMセルの設計と性能

〇矢口忠勝¹、塩津勇作¹、菅原聡¹ (1.東京科学大学・未来研)

14:45 〜 15:00

[10p-N302-6]耐放射線SRAMセルの設計方法

〇野見山敏輝¹、塩津勇作¹、菅原聡¹ (1.東京科学大学・未来研)

15:15 〜 15:30

[10p-N302-7]ナノインプリントリソグラフィによるHP19nm L/Sパターンのハードマスクエッチングの評価

〇鈴木健太¹、上田哲也¹、笠嶋悠司¹、濱本亮輔¹、深沢正永¹、水林亘¹、林喜宏¹、石田真幸²、舩吉智美²、日浦広実²、香川正行²、長谷川敬恭²、山本磨人² (1.産総研　SFRC、2.Canon)

15:30 〜 15:45

[10p-N302-8]ナノインプリントリソグラフィによるデュアルダマシン（DD）配線のパターニング形状評価

〇濱本亮輔¹、鈴木健太¹、上田哲也¹、林喜宏¹、水林亘¹、石田真幸²、日浦広美²、香川正行²、日下敦之²、小楠誠²、山本磨人² (1.産総研 SFRC、2.キヤノン)

15:45 〜 16:00

[10p-N302-9]酸化によるCuAl₂薄膜の抵抗増大に関する原子論的解析

〇田中貴久¹ (1.慶大理工)

16:00 〜 16:15

[10p-N302-10]微細配線応用を目指したCoSnカゴメ金属薄膜の作製

〇中谷友也¹、Suwannaharn Nattamon¹、佐々木泰佑¹ (1.NIMS)

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[10p-N302-11]NiAlのエレクトロマイグレーション特性

〇米原周平¹、小池淳一¹ (1.東北大)

カテゴリ一覧へ戻る