セッション詳細
[10p-N322-1~13]15.6 IV族系化合物（SiC）
2025年9月10日(水) 13:30 〜 17:00
N322 (共通講義棟北)
[10p-N322-1]4H-SiC における電子および正孔の高電界ドリフト速度の温度依存性
〇藤岡 大智1、石川 諒弥1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
[10p-N322-2]電子線照射SiCにおける近接したエネルギーを有するSi関連欠陥準位の検出
〇(M1)山中 孝太郎1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
[10p-N322-3]光ヘテロダイン光熱変位法を用いた4H-SiCの窒素ドーパントの分布測定
〇原田 航陽1、加藤 正史2、福山 敦彦1 (1.宮崎大工、2.名工大)
[10p-N322-4]蛍光4H-SiCの近接昇華法成長におけるガス流量制御によるND-NA低減
〇坂 卓磨1、橋口 碧十1、高橋 直暉1、赤澤 絵里2、鈴木 敦志2、Lu Weifang3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.E&Eエボ株、3.厦門大)
[10p-N322-5]4H-SiCのBPD密度低減のための近接昇華法成長条件に関する検討
〇(M1)橋口 碧十1、坂 卓磨1、髙橋 直暉1、上山 暉1、竹内 哲也1、岩屋 素顕1、鈴木 敦志2、赤澤 絵里2、Weifang Lu3 (1.名城大学理工、2.E＆Eエボリューション、3.厦門大学)
[10p-N322-6]蛍光4H-SiCのIQE測定とLEDデバイス化に関する研究
〇(M2)高橋 直暉1、坂 卓磨1、橋口 碧十1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、鈴木 敦志2、赤澤 絵里2、Ou Yiyu3、Ou Haiyan3 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション、3.デンマーク工科大学)
[10p-N322-7]ビニルシランを用いた熱CVD法によるFe基板上へのSiCコーティングにおけるアンモニア処理の影響
〇(M2)大島 直人1、土射津 佑起2、金子 智3、上原 賢一4、安原 重雄4、田岡 紀之1、五島 敬史郎1、竹内 和歌奈1 (1.愛知工業大、2.東北大、3.KISTEC、4.JAC)
[10p-N322-8]ビニルシランとトリメチルアルミニウムにより成長させたアモルファスAlSiC薄膜の電気的特性へのAl導入効果
〇(D)土射津 佑起1、上原 賢一2、大堀 大介1、安原 重雄2、遠藤 和彦1、竹内 和歌奈3 (1.東北大流体研、2.(株)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ、3.愛知工業大学)
[10p-N322-9]フッ素または酸素イオン注入を行った4H-SiC中の基底面転位のUV照射による積層欠陥拡張比較
〇西尾 譲司1、太田 千春1、飯島 良介1 (1.東芝総研)
[10p-N322-10]表面形状の異なる4H-SiCエピウエハ中積層欠陥複合体の起点解析
〇林 将平1、先崎 純寿2 (1.東レリサーチセンター、2.産総研)
[10p-N322-11]4H-SiCオフ基板上に成長した3C-SiC厚膜エピタキシャル層の評価
〇藤田 隼1、Rho Kongsihk1、加藤 正史1 (1.名工大)
[10p-N322-12]High-Resolution Synchrotron X-ray Topography of 4H-SiC Wafers Using a Wide-Field Detector at SPring-8 BL16B2
〇(M1)Yuhui Huang1, Rui Zhou1, Kentaro Kajiwara2, Takashi Kameshima2,3, Taito Osaka3, Makina Yabashi3, Takayoshi Shimura1,3 (1.Waseda Univ., 2.JASRI, 3.RIKEN)
[10p-N322-13]透視変換を用いたマルチモーダル解析によるSiC基板の欠陥評価
〇原田 俊太1,2、高橋 幸聖1、辻森 皓太2、Sun Juheyong1、川瀬 道夫1、松原 康高1、瀬尾 圭介1、小寺 竜貴1、島本 憲太3、水谷 誠也4、水谷 優也4、水谷 誠二4、村山 健太4 (1.名大、2.SSR、3.リガク、4.Mipox)