講演情報
[10p-N322-5]4H-SiCのBPD密度低減のための近接昇華法成長条件に関する検討
〇(M1)橋口 碧十1、坂 卓磨1、髙橋 直暉1、上山 暉1、竹内 哲也1、岩屋 素顕1、鈴木 敦志2、赤澤 絵里2、Weifang Lu3 (1.名城大学理工、2.E＆Eエボリューション、3.厦門大学)
キーワード：
半導体
ホウ素、窒素を共添加した4H-SiCは、DAP発光によりブロードな波長域の発光スペクトルが得られる。発光効率に影響を与えるBPDの低減を検討した。本研究では、成長条件である成長温度と成長圧力の２つのパラメータを変化させBPDの抑制を検討した。パラメータを最適化する理由としてステップフロー成長を維持することができ、表面状態が良くなるとBPDの抑制に繋がると考えられるためである。