[10p-N322-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[10p-N322-6] 蛍光4H-SiCのIQE測定とLEDデバイス化に関する研究

〇(M2)高橋 直暉¹、坂 卓磨¹、橋口 碧十¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、鈴木 敦志²、赤澤 絵里²、Ou Yiyu³、Ou Haiyan³ (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション、3.デンマーク工科大学)

キーワード：

半導体

BおよびNをSiCにドーピングすると、蛍光SiCと呼ばれ、波長580 nmの発光を示す。さらに、その結晶表面にエッチング処理を施すことでポーラス層が形成され、波長460 nm付近の短波長発光が得られる。この蛍光SiCとポーラス蛍光SiCの組み合わせにより、広帯域な発光スペクトルを持つ高演色性白色LEDの実現が期待される。本研究では、蛍光4H-SiCの内部量子効率測定手法の確立と、励起用LEDを含むハイブリッドデバイスの試作を行った。