[10p-N401-1~7] 13.3 絶縁膜技術

14:00 〜 14:15

[10p-N401-3] 硫酸過水によるGeO₂/Ge構造の作製の検討

〇原田 星輝¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

MOSFET