2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.3 絶縁膜技術

[10p-N401-1~7]13.3 絶縁膜技術

2025年9月10日(水) 13:30 〜 15:15
N401 (共通講義棟北)
田岡 紀之(愛工大)
Ge基板上ゲート絶縁膜
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[10p-N401-1]Ge(111) GAA nFETsに向けたALD-HKMG Ge MOS構造の検討

〇川名 慶征1,2、福原 昇1、張 文馨1、陳 家驄1、堤 利幸1,2、前田 辰郎1 (1.産総研、2.明大理工)
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13:45 〜 14:00

[10p-N401-2]オゾン酸化によるAl2O3/Ge MOS界面の遅い準位の評価

〇高橋 大輝1、Xiao Yu2、青木 伸之1、柯 夢南3 (1.千葉大物質、2.西安電子科技大、3.横浜国立大)
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14:00 〜 14:15

[10p-N401-3]硫酸過水によるGeO2/Ge構造の作製の検討

〇原田 星輝1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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14:15 〜 14:30

[10p-N401-4]N2アニール処理によるGeO2/Ge界面特性の特性改善に関する研究

〇小崎 祐哉1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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14:30 〜 14:45

[10p-N401-5]二段階堆積と極薄 GeO2/Ge 界面の特性評価

〇井上 拓紀1、鈴木 拓光1、岩崎 好孝1、上野 智雄1、並木 美太郎1 (1.農工大工)
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14:45 〜 15:00

[10p-N401-6]CVD法を用いたGeO2/Ge構造の作製及び評価

〇鈴木 拓光1、井上 拓紀1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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15:00 〜 15:15

[10p-N401-7]高誘電率材料TiO2を用いたGe-MOS構造に関する研究

〇内田 遥太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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