講演情報
[10p-S102-2]グラフェン超極短ゲートを用いたトランジスタの試作
〇田中 陽来1、佐々木 文憲1、杉野 秀明1、入沢 寿史2、松木 武雄3、大堀 大介4、遠藤 和彦4、渥美 圭脩5、長汐 晃輔5、渡邊 一世6、吹留 博一1 (1.東北大通研、2.産総研、3.筑波大、4.東北大流体研、5.東京大学、6.情報通信研究機構)
キーワード：
半導体、グラフェン
GAA以降の次世代ICの実現には、ゲートのシングル・ナノレベルの極短化およびチャネルの1 nm程度の極薄化が不可欠である。しかし3 nm以下の膜厚では、Siのキャリア移動度が激減する。ゆえに、二次元半導体結晶が次世代半導体材料として注目されている。我々は、劈開・転写法を用いない、グラフェン極短ゲート構造の作製に成功した。本稿では、グラフェン極短ゲートを用いたトランジスタの試作について発表する。