2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[10p-S102-1~9]17.3 層状物質

2025年9月10日(水) 13:00 〜 15:30
S102 (共通講義棟南)
13:00 〜 13:15

[10p-S102-1]二層MoS2を用いたバレー流観測と局所ゲート制御

〇中山 祐輔1、中村 優友1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、バード ジョナサン1,3、フェリー デイビット4、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.物材機構、3.バッファロー大、4.アリゾナ州立大)
13:15 〜 13:30

[10p-S102-2]グラフェン超極短ゲートを用いたトランジスタの試作

〇田中 陽来1、佐々木 文憲1、杉野 秀明1、入沢 寿史2、松木 武雄3、大堀 大介4、遠藤 和彦4、渥美 圭脩5、長汐 晃輔5、渡邊 一世6、吹留 博一1 (1.東北大通研、2.産総研、3.筑波大、4.東北大流体研、5.東京大学、6.情報通信研究機構)
13:30 〜 13:45英語発表

[10p-S102-3]A WSe2 Field-Effect Transistor for Monitoring Inactive Gas via Oxidative Surface Modification

〇CHEN LI1, Ramaraj Sakar Ganesh1, Tabata Hitoshi1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. Tokyo)
13:45 〜 14:00

[10p-S102-4]イオンゲルを用いたWS2/WSe2ヘテロ構造発光デバイス

〇岩崎 春樹1、後藤 脩斗1、平松 奏人1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、欧 昊1、蒲 江1 (1.東京科学大理、2.NIMS)
14:00 〜 14:15

[10p-S102-5]歪み印加した単層及び積層WS2トランジスタの電気伝導特性

〇于 沛杉1、北村 天太1、及川 敬夫1、遠藤 尚彦2、丸山 実那3、岡田 晋3、鈴木 弘朗4、林 靖彦4、宮田 耕充2、欧 昊1、蒲 江1 (1.科学大理、2.NIMS、3.筑波大数理、4.岡大環境自然)
14:30 〜 14:45

[10p-S102-6]MoS2ウエハー上high-k堆積で理想的な界面形成は可能か？

大竹 亮多郎1、李 曙紅1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、〇長汐 晃輔1 (1.東京大学、2.NIMS)
14:45 〜 15:00

[10p-S102-7]サファイア基板上単層MoS2へのレジストフリー界面ゲートスタック形成

〇西村 知紀1、李 曙紅1、大竹 亮多郎1、渥美 圭脩1、佐久間 芳樹2、長田 貴弘2、金橋 魁利1、長汐 晃輔1 (1.東大院工、2.物材機構)
15:00 〜 15:15英語発表

[10p-S102-8]Elastic Effect-Driven Suspended and Non-Suspended MoS2-Based Surface Acoustic Wave Skin Gas Sensors

〇(P)Sankar Ganesh Ramaraj1, Ryo Fujioka1, Chen Li1, Daisuke Kiriya1, H Yamahara1, H Tabata1 (1.Univ. of Tokyo)
15:15 〜 15:30

[10p-S102-9]抵抗加熱蒸着法によるSb2Te3層状膜コンタクトの作製技術とMoS2 nMOSFETsの性能比較

〇張 文馨1、佐々木 俊哉1,2、金 美賢2、畑山 祥吾1、齊藤 雄太1,2、岡田 直也1、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、入沢 寿史1 (1.産総研SFRC、2.東北大、3.物材機構)
カテゴリ一覧へ戻る