[7a-N201-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:15 〜 9:30

[7a-N201-1] ミスト化学気相堆積法を用いた酸化ガリウム成膜におけるミスト改質の効果

〇岩田 智暉¹、太田 貴之¹ (1.名城大学)

キーワード：

酸化ガリウム、酸化物半導体、ミストCVD