2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7a-N201-1~10]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年9月7日(日) 9:15 〜 12:00
N201 (共通講義棟北)
9:15 〜 9:30

[7a-N201-1]ミスト化学気相堆積法を用いた酸化ガリウム成膜におけるミスト改質の効果

〇岩田 智暉1、太田 貴之1 (1.名城大学)
9:30 〜 9:45

[7a-N201-2]ミストCVD 法によるGa2O3 膜のレーザーアニールによる結晶化

〇平岡 知己1、西水流 悠太3、新海 聡子3、若松 岳2、池田 光2、藤田 静雄2、田中 勝久2、大野 泰夫1 (1.レーザーシステム、2.京都大、3.九工大)
9:45 〜 10:00

[7a-N201-3]VB法による2インチn型β-Ga2O3 (011)単結晶の育成

〇上田 悠貴1、五十嵐 拓也1、輿 公祥1、阪口 良一1、中條 大貴1、品川 稜1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
10:00 〜 10:15

[7a-N201-4]スパッタリング援用MOCVDによるEu添加酸化ガリウム結晶成長

〇館林 潤1,2、田中 卓巳1、増田 莉子1、与那覇 海斗1、大島 拓人1、井田 聖人1、藤原 康文3,4、多根 正和1 (1.阪大院工、2.阪大QIQB、3.阪大産研、4.立命館大)
10:15 〜 10:30

[7a-N201-5]極めて狭い窓幅のストライプマスクを用いたc面α-Ga2O3の選択横方向成長

〇大島 祐一1、四戸 孝2 (1.NIMS、2.FLOSFIA)
10:45 〜 11:00

[7a-N201-6]Mist CVD法による2-inch α-Cr2O3テンプレート上へのα-Ga2O3膜成長

〇飯田 隆真1、山田 琴乃1、肖 世玉2、村上 和仁2、山口 勇豪1、西尾 宗真1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、渡邊 守道2、今井 克宏2、山口 智広1 (1.工学院大学、2.日本ガイシ(株))
11:00 〜 11:15

[7a-N201-7]様々なAl組成を持つSiドープα-(AlGa)2O3薄膜のバンドギャップ測定

〇奥山 優太1、奥村 宏典1 (1.筑大数理)
11:15 〜 11:30

[7a-N201-8]Mist CVD法による1000°C以上での(010) b-Ga2O3の成長検討

〇(M1)齊藤 星1、杉谷 諒1、山口 智広1、阿部 翔平1、佐々木 公平2、倉又 朗人2、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大学、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
11:30 〜 11:45

[7a-N201-9]ミストCVD法によるMgO薄膜への高濃度Al添加

〇中島 三四郎1、小川 広太郎1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)
11:45 〜 12:00

[7a-N201-10]不純物を導入したMgOの電子状態

〇太田 優一1、尾沼 猛儀2 (1.富山県立大、2.工学院大)
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